關(guān)鍵詞：雙靶，高真空，直流，射頻，高溫

JKZC-STC600高 真空雙靶磁控濺射儀是我公司自主新研制開發(fā)的一款高真空鍍膜設(shè)備，可用于制備單層或多層鐵電薄 膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜、氧化物薄膜、硬質(zhì)薄膜、聚四氟乙烯薄 膜等。JKZC-STC600 雙靶磁控濺射儀配備有兩個靶槍和兩個電源，一個射頻電源用于非導(dǎo)電材料的濺射鍍膜，一個直流電源用于導(dǎo)電材料的濺射鍍膜，可選配強(qiáng)磁靶用于鐵磁性材料的濺射鍍膜。與同類設(shè)備相比，且具有體積小便 于操作的優(yōu)點，且可使用的材料范圍廣，是一款實驗室制備各類材料薄膜的理想設(shè)備。 

主要特點：

·配置兩個靶槍，一個配套射頻電源用于非導(dǎo)電靶材的濺射鍍膜，一個配套直流電源用于導(dǎo)電性材料的濺射鍍膜。 ·可制備多種薄膜，應(yīng)用廣泛。

·體積小，操作簡便。

技術(shù)數(shù)參：

標(biāo)準(zhǔn)配件

可選配件：

濺射條件：工作氣壓 10pa 左右，濺射電壓 3000V，靶電流密度 0.5mA/cm2,薄膜沉積速率低于 0.1μm/min。

工作原理：先讓惰性氣體（通常為 Ar 氣）產(chǎn)生輝光放電現(xiàn)象產(chǎn)生帶電的離子；帶電離子緊電場加速撞擊靶材表面， 使靶材原子被轟擊而飛出來，同時產(chǎn)生二次電子，再次撞擊氣體原子從而形成更多的帶電離子；靶材原子攜帶著足 夠的動能到達(dá)被鍍物（襯底）的表面進(jìn)行沉積。隨著氣壓的變化，濺射法薄膜沉積速率將出現(xiàn)一個極大值，但氣壓 很低的條件下，電子的自由程較長，電子在陰極上消失的幾率較大，通過碰撞過程引起氣體分子電離的幾率較低， 離子在陽極上濺射的同時發(fā)射出二次電子的幾率又由于氣壓較低而相對較小，這些均導(dǎo)致低氣壓條件下濺射的速率 很低。在壓力 1Pa 時甚至不易維持自持放電！隨著氣壓的升高，電子的平均自由程減小，原子的電離幾率增加，濺 射電流增加，濺射速率增加。

適宜濺射靶材種類為不易氧化的輕金屬,如 Au,Ag,Pt等

射頻濺射是利用射頻放電等離子體中的正離子轟擊靶材、濺射出靶材原子從而沉積在接地的基板表面的技術(shù)。

工作條件：射頻濺射可以在 1Pa 左右的低壓下進(jìn)行，濺射電壓 1000V，靶電流密度 1.0  mA/cm2，薄膜沉積速率

0.5μm/min。

工作原理：人們將直流電源換成交流電源。由于交流電源的正負(fù)性發(fā)生周期交替，當(dāng)濺射靶處于正半周時，電子流 向靶面，中和其表面積累的正電荷，并且積累電子，使其表面呈現(xiàn)負(fù)偏壓，導(dǎo)致在射頻電壓的負(fù)半周期時吸引正離 子轟擊靶材，從而實現(xiàn)濺射。由于離子比電子質(zhì)量大，遷移率小，不像電子那樣很快地向靶表面集中，所以靶表面 的點位上升緩慢，由于在靶上會形成負(fù)偏壓，所以射頻濺射裝置也可以濺射導(dǎo)體靶。在射頻濺射裝置中，等離子體 中的電子容易在射頻場中吸收能量并在電場內(nèi)振蕩，因此，電子與工作氣體分子碰撞并使之電離產(chǎn)生離子的概率變大，故使得擊穿電壓、放電電壓及工作氣壓顯著降低。 

優(yōu)點：

1、可在低氣壓下進(jìn)行，濺射速率高。

2、不僅可濺射金屬靶，也可濺射絕緣靶，可以把導(dǎo)體，半導(dǎo)體，絕緣體中的任意材料薄膜化。

3、必須十分注意接地問題。

適宜濺射的靶材種類為各種類型的固體靶材,金屬,半導(dǎo)體,絕緣體靶材均可濺射,尤為適用于易產(chǎn)生氧化絕緣層的 靶材.如 Al,Ti,Mg 等金屬以及 TiQ2,ZnO 等氧化物靶材.